Кількісні характеристики вторинної електронної емісії (зображення)
 
а б в г д е ж з и й к л м н о п р с т у ф х ц ч ш щ ъ ы ь э ю я
 

Кількісні характеристики вторинної електронної емісії (зображення)

Мал. 5. Залежність s, h і r від кута падіння j первинних електронів для монокристалів кремнію; Е п = 1000 ев ; пунктир — залежність s (j) для плівки кремнію.