Количественные характеристики вторичной электронной эмиссии (изображение)
 
а б в г д е ж з и й к л м н о п р с т у ф х ц ч ш щ ъ ы ь э ю я
 

Количественные характеристики вторичной электронной эмиссии (изображение)

Рис. 5. Зависимость s, h и r от угла падения j первичных электронов для монокристаллов кремния; Еп = 1000 эв; пунктир — зависимость s (j) для плёнки кремния.