Рухливість носіїв струму в твердому телі, відношення швидкості направленого руху електронів провідності і дірок (дрейфовій швидкості u др ) , викликаного електричним полем, до напруженості Е цього поля:
m = u др / Е .
В різних типів носіїв в одній і тій же речовині m різні, а в анізотропних кристалах різні m кожного типа носіїв для різних напрямів поля Е. Величина m визначається процесами розсіяння електронів в кристалі. Розсіяння відбувається на заряджених і нейтральних домішкових частках і дефектах кристалічної решітки, а також на теплових коливаннях кристалічної решітки (фононах). Випускаючи або поглинаючи фонон, носій змінює свій квазіімпульс і, отже, швидкість. Тому m сильно змінюється при зміні температури. При T ³ 300 До переважає розсіяння на фононах, з пониженням температури вірогідність цього процесу падає і домінуючим стає розсіяння на заряджених домішках або дефектах, вірогідність якого зростає із зменшенням енергії носіїв.
Середня дрейфова швидкість набирається за інтервал часу t між двома послідовними актами розсіяння (час вільного пробігу) і рівна: ( е — заряд, m — ефективна маса носія), звідки: m = еt/m . П. н. т. в різних речовинах змінюється в широких межах — від 10 7 см 2 /сек до 10 -3 см 2 /сек (і менше) при Т = 300 До. У змінному електричному полі може не збігатися по фазі з напруженістю поля Е і П. н. т. залежить від частоти поля. Див. також статті Метали, Напівпровідники, Тверде тіло .
Літ.: Блатт Ф.-Д же., Теорія рухливості електронів в твердих тілах, пер.(переведення) з англ.(англійський), М.— Л., 1963: Іоффе А. Ф., Фізика напівпровідників, [2 видавництва], М. — Л., 1957.
