Рекомбінація електронів і дірок в напівпровідниках
Рекомбінація електронів і дірок в напівпровідниках, зникнення пари електрон провідності — дірка в результаті переходу електрона із зони провідності у валентну зону. Надлишок енергії може виділятися у вигляді випромінювання (випромінювальний Р.). Можливий також безвипромінювальний Р., при якому енергія витрачається на збудження коливань кристалічної решітки або передається вільним носіям струму при потрійних зіткненнях (ударний Р.). Р. може відбуватися як при безпосередньому зіткненні електронів і дірок, так і через домішкові центри (центри Р.), коли електрон спочатку захоплюється із зони провідності на домішковій рівень в забороненій зоні, а потім вже переходить у валентну зону. Швидкість Р. (число актів Р. в одиницю часу) визначає концентрацію нерівноважних носіїв струму, що створюються зовнішньою дією (світлом швидкими зарядженими частками і т. п.), а також час відновлення рівноважної концентрації після виключення цієї дії. Випромінювальний Р. виявляється в люмінесценції кристалів і лежить в основі дії лазерів і светоелектрічеських діодів.
