Магнетоелектрічеський ефект
 
а б в г д е ж з и й к л м н о п р с т у ф х ц ч ш щ ъ ы ь э ю я
 

Магнетоелектрічеський ефект

Магнетоелектрічеський ефект, виникнення в кристалах намагніченності J  при приміщенні їх в електричне поле Е ( J = a Е ). М. е. можливий лише в магнітоупорядоченних кристалах (антіферро-, феррі- і феромагнетиках). На можливість існування М. е. вказали вперше Л. Д. Ландау і Е. М. Ліфшиц (1957). І. Е. Дзялошинський (1959) на підставі даних про магнітну симетрії кристалів передбачив, в яких з відомих антиферомагнетиків повинен спостерігатися М. е. Експериментально ефект був відкритий Д. Н. Астровим (1960) в антиферомагнітному кристалі Cr 2 O 3 . Величина М. е. невелика. Максимальне значення коефіцієнта а для Cr 2 O 3 складає ~ 2×10 -6 . Існує і зворотний ефект — виникнення електричної поляризації Р при приміщенні кристала в магнітне поле Н ( Р = a Н ).

 

  Літ.: Вонсовський С. Ст, Магнетизм, М., 1971; Боровік-романів А. С. Антиферомагнетизм, в збірці: Антиферомагнетизм і ферити, М., 1962 (Підсумки науки, фізико-математичні науки, ст 4).

  А. С. Боровік-романів.