Тензорезістівний ефект, зміна питомого електроопоу твердого провідника (металу, напівпровідника ) в результаті його деформації. Величина відносної зміни компонент тензора електроопоу пов'язана з тензором деформації u im через тензор четвертого рангу : . На практиці користуються поняттям тензочувствітельності, де — відносна зміна довжини l зразка під дією прикладеного навантаження в певному напрямі, — відносна зміна питомого електроопоу r уздовж цього напряму. У металах до порядку одиниці, в напівпровідниках (наприклад, в Ge і Si) в десятки і сотні разів більше.
Т. е. пов'язаний із зміною міжатомних відстаней при деформації, що спричиняє за собою зміну структури енергетичних зон кристала. Останнє обумовлює зміну концентрації носіїв струму (електронів провідності, дірок), їх ефективної маси, перерозподіл їх між енергетичними максимумами в зоні провідності і мінімумами у валентній зоні. Крім того, деформація впливає на процеси розсіяння носіїв (поява нових дефектів, зміна фононного спектру). Т. е. застосовується в тензодатчиках опорів, що служать для виміру деформацій.
Літ.: Блатт Фр. Д же., Фізика електронної провідності в твердих тілах, пер.(переведення) з англ.(англійський), М., 1971; Кирєєв П. С., Фізика напівпровідників, М., 1969: Ільінськая Л. С., Подмарьков А. Н., Напівпровідникові тензодатчики, М.— Л., 1966; Глаговський Би. А., Півен І. Д., Електротензометри опору, 2 видавництва, Л., 1972.
