Магнетосопротівленіє, магніторезистивний ефект, зміна електричного опору твердого провідника під дією зовнішнього магнітного поля. Розрізняють поперечне М., при якому електричний струм тече перпендикулярно магнітному полю, і подовжнє М. (струм паралельний магнітному полю). Причина М. — викривлення траєкторій носіїв струму в магнітному полі. В напівпровідників відносна зміна опору Dr/r в 100 — 10 000 разів більша, ніж в металів, і може досягати сотень %. М. відноситься до групи гальваномагнітних явищ . М. використовується для дослідження електронного енергетичного спектру і механізму розсіяння носіїв струму кристалічною решіткою, а також для виміру магнітних полів.
Літ.: Ліфшиц І. М., Азбель М. Я., Каганов М. І., Електронна теорія металів, М., 1971; Блатт Ф., Фізика електронної провідності в твердих тілах, пер.(переведення) з англ.(англійський), М., 1971; Ансельм А. І., Введення в теорію напівпровідників, М. — Л., 1962.
