Фототиристор, тиристор, переведення якого в стан з високою провідністю здійснюється світловою дією. При освітленні Ф. у напівпровіднику генеруються парні носії заряду (електрони і дірки), які розділяються електричним полем електронно-діркових переходів (див. Фотоерс ) . В результаті через р – n -переходи починають протікати струми (фотоструми), що грають роль струмів управління.
Конструктивно Ф. є світлочутливим монокристалом з р–n–р–n -cтруктурой, зазвичай з кремнію, розташований на мідному підставі і закритий герметичною кришкою з прозорим для світла вікном. Найбільшого поширення набули конструкції з освітлюваним n -еміттером і з освітлюваною р -базой.
Придатні для управління Ф. джерела випромінювання – електричні лампи розжарювання, імпульсні газорозрядні лампи, светоїзлучательниє діоди, квантові генератори і ін. Величина світлового потоку, необхідного для переведення Ф. у стан з високою провідністю характеризує чутливість приладу; вона визначається спектральним складом випромінювання, коефіцієнтом віддзеркалення і поглинання монокристала, а також заданими значеннями електричних параметрів Ф.: напругою перемикання, швидкістю наростання прямої напруги і т.д.
Сучасні Ф. виготовляють на струми від декількох ма до 500 а і напруга від декількох десятків в до 3 кв. Потужність керівника світлового випромінювання (при довжині хвилі 0,9 мкм ) порядку 1–10 2 мвт. Ф. знаходять вживання в різних пристроях автоматичного управління і захисту, а також в потужних високовольтних преобразовательних пристроях,
