Топохимічеськие реакції, реакції хімічні, що відбуваються на кордоні розділу твердих фаз. Приклади Т. р.: дегідратація кристалогідратів, відновлення оксидів, термічний розпад азидів важких металів і так далі Особливості Т. р.: 1) вони починаються не у всьому об'ємі, а з окремих, найбільш реакционноспособних місць твердого тіла (локалізація процесу); 2) виникнувши в якомусь місці, реакція продовжується в сусідніх областях кристала (автолокалізація процесу). Причини локалізації процесу при Т. р. зазвичай пов'язані з наявністю дефектів в кристалах і малою рухливістю іонів, атомів або молекул, створюючих кристалічну решітку . Автолокалізація процесу обумовлена каталітичним впливом твердого або газоподібного продукту реакції, а також крісталлохимічеськимі особливостями розвитку реакції в кристалі. Міжфазова поверхня, в межах якої локалізовані Т. р., виникає унаслідок освіти і зростання реакційних ядер; швидкість процесу зазвичай пропорційна величині цієї поверхні в кожен даний момент часу. Тому кінетичний аналіз Т. р. включає не лише облік розвитку процесу в часі, але і в просторі. Значить, вплив на швидкість Т. р. роблять дефекти в кристалах. Воно виявляється в зміні як числа потенційних центрів реакції на поверхні, так і умов для явищ перенесення в твердому телі. З істотною роллю дефектів в розвитку Т. р. зв'язані також широко відомий ефект впливу «передісторії» препарату (реагенту) на його реакційну здатність, різноманіття чинників, що впливають на їх швидкість, і так далі Характер впливу дефектів в кристалах на швидкості Т. р. у кожному конкретному випадку залежить як від вигляду і концентрації дефектів, так і від механізму елементарних стадій.
Т. р. широко використовуються на практиці. До найбільш важливих Т. р. відносяться процеси випалення, відновлення, хлорування руд багатьох металів, цементація стали, виробництво кераміки і вогнетривів, приготування каталізаторів, здобуття феритів, деякі стадії фотографічного процесу, газова корозія металів і сплавів. У багатьох випадках розкладання вибухових речовин при нагріванні, процеси синтезу і очищення напівпровідникових матеріалів також відносяться до Т. р.
Літ.: Болдирев Ст Ст, Вплив дефектів в кристалах на швидкість термічного розкладання твердих речовин, Томськ, 1963; Дельмон Би., Кінетика гетерогенних реакцій, пер.(переведення) з франц.(французький), М., 1972; Розовський А. Я., Кінетика топохимічеських реакцій, М., 1974.
