Параметричний підсилювач
 
а б в г д е ж з и й к л м н о п р с т у ф х ц ч ш щ ъ ы ь э ю я
 

Параметричний підсилювач

Параметричний підсилювач, радіоелектронний пристрій, в якому посилення сигналу по потужності здійснюється за рахунок енергії зовнішнього джерела (так званого генератора накачування), що періодично змінює ємкість або індуктивність нелінійного реактивного елементу електричного ланцюга підсилювача. П. в. застосовують головним чином в радіоастрономії, далекою космічною і супутниковою зв'язки і радіолокації як малошумливий підсилювач слабких сигналів, що поступають на вхід радіоприймального пристрою, переважно в діапазоні СВЧ(надвисокі частоти). Найчастіше в П. в. як реактивний елемент використовують параметричний напівпровідниковий діод (ППД). Крім того, в діапазоні СВЧ(надвисокі частоти) застосовують П. в., що працюють на електроннопроменевих лампах, а в області низьких (звукових) частот —П. в. з феромагнітним (феритовим) елементом.

  Найбільшого поширення набули двочастотні (або двоконтурні) П. у.: в сантиметровому діапазоні — регенеративні «відбивні підсилювачі із збереженням частоти» ( мал. , а), на дециметрових хвилях — підсилювачі — перетворювачі частоти ( мал. , би) (див. Параметричне збудження і посилення електричних коливань ). Як приймальний коливальний контур і коливальний контур, що налаштовується на допоміжну, або «неодружену», частоту (рівну найчастіше різниці або сумі частот сигналу і генератора накачування), в П. в. зазвичай використовують об'ємні резонатори, усередині яких розташовують ППД. У генераторах накачування застосовують лавинно-пролітний напівпровідниковий діод, Ганна діод, варактор

ний помножувач частоти і рідше відбивний клістрон . Частота накачування і «неодружена» частота вибираються в більшості випадків близькими до критичної частоти f kp ППД (тобто до частоти, на якій П. в. перестає підсилювати); при цьому частота сигналу має бути значно меншою f kp . Для здобуття мінімальних шумових температур (10—20 До і менш) застосовують П. в., охолоджувані до температур рідкого азоту (77 До), рідкого гелію (4,2 До) або проміжних (зазвичай 15—20 До); в неохолоджуваних П. в. шумова температура 50—100 До і більш. Максимально досяжні коефіцієнт посилення і смуга пропускання П. в. визначаються в основному параметрами реактивного елементу. Реалізовані П. в. з коефіцієнтами посилення потужності сигналу, що приймається, рівними 10—30 дб, і смугами пропускання, що становлять 10—20% частоти сигналу, що несе.

  Літ.: Еткин Ст С., Гершензон Е. М., Параметричні системи СВЧ(надвисокі частоти) на напівпровідникових діодах, М.. 1964; Лопухин Ст М., Рошаль А. С., Електроннопроменеві параметричні підсилювачі, М., 1968; СВЧ(надвисокі частоти) — напівпровідникові прилади і їх вживання, пер.(переведення) з англ.(англійський), М., 1972; Копилова До. Ф., Терпугів Н. Ст, Параметричні ємкісні підсилювачі низьких частот, М., 1973; Penfield P., Rafuse R., Varactor applications, Camb. (Mass.), 1962.

  Ст С. Еткин.

Еквівалентні схеми параметричних підсилювачів: а — регенеративного; б — «з перетворенням частоти вгору»; u вх — вхідний сигнал з частотою f, що несе, з , u н — напруга «накачування»; u вих1 — вихідний сигнал з частотою f, що несе, з ; u вих2 — вихідний сигнал з частотою, що несе (f з + f н ); Tp 1 — вхідний трансформатор; Тр 2 — вихідний трансформатор; Тр 2 — трансформатор в ланцюзі «накачування»; Д — параметричний напівпровідниковий діод; L — котушка індуктивності того, що коливає контура, налаштованого на частоту (f з + f н ); Ф з , Ф сн , Ф н — електричні фільтри, що мають малий повний опір відповідно при частотах f з , (f з + f н ), f н і чимале при всіх інших частотах.