Ганна діод, напівпровідниковий прилад, робота якого заснована на Ганна ефекті . Основним елементом Р. д. є напівпровідниковий кристал з арсеніду галію, фосфіду індія або ін. завтовшки від одиниць до сотень мкм, до якого приєднані 2 омічних контакту. Питомий електричний опір кристала — від -~ 0,001 до ~0,01 ом- м. Еффект Ганна в нім виникає досягши «критичної» напруженості поля (у арсеніді галію близько 300 кв/м ) . Для створення промислових Р. д. використовують арсенід галію. Р. д. застосовують для посилення і генерування електричних коливань потужністю порядка декілька квт (у імпульсному режимі) і сотень мвт (у безперервному режимі) на частотах від ~0,1 до ~100 Ггц а також для створення швидкодіючих логічних і функціональних елементів електронних пристроїв.
