Електронний проектор
 
а б в г д е ж з и й к л м н о п р с т у ф х ц ч ш щ ъ ы ь э ю я
 

Електронний проектор

Електронний проектор, автоелектронний мікроскоп, безлінзовий електроннооптичний прилад для здобуття збільшеного в 10 5 —10 6 разів зображення поверхні твердого тіла. Е. п. був винайдений в 1936 німецьким фізиком Е. Мюллером. Основні частини Е. п.: катод у вигляді вістря з радіусом кривизни кінчика ~10 -7 —10 -8 м-код; скляна сферична або конусоподібна колба, дно якої покрите шаром люмінофора; і анод у вигляді провідного шару на стінках колби або дротяного кільця, що оточує катод. При прогріванні вістря його кінчик стає монокристалічним і набуває закругленої форми. Колба вакуумувалася (залишковий тиск ~10 -9 —10 -11 мм рт. ст. ) . Коли на анод подають позитивну напругу в декілька тис. вольт відносно розташованого в центрі колби катода-вістря, напруженість електричного поля в безпосередній близькості від кінчика вістря досягає 10 -7 —10 -8 в/см. Це забезпечує інтенсивну автоелектронну емісію (див. Тунельна емісія ) з кінчика катода. Електрони, прискорюючись в радіальних (відносно кінчика) напрямах, бомбардуючи екран і викликаючи свічення люмінофора, створюють на екрані збільшене зображення поверхні катода, що відображає симетрію кристалічної структури вістря (див. мал. ) . Збільшення в Е. п. дорівнює відношенню R/ b r, де R — відстань катод — екран, r — радіус кривизни вістря, b — чинник, що характеризує відхилення форми еквіпотенціальних поверхонь електричного поля від сферичної. Роздільну здатність Е. п. обмежують наявність тангенціальних складових швидкостей автоелектронів в кінчика вістря і (у меншій мірі) явище дифракції електронів. Межа дозволу Е. п. складає (2—3)×10 -7 див.(дивися)

  Е. п. застосовується для вивчення автоелектронної емісії металів і напівпровідників, визначення роботи виходу з різних граней монокристала і пр. Для спостереження фазових переходів, вивчення адсорбції атомів різних речовин на металевій або напівпровідниковій поверхні і т. д. Е. п. використовують вельми обмежено, т. до. намного великі можливості в цих стосунках дає вживання іонного проектора.

Мал. 2a. Зображення поверхні вольфрамового вістря радіусом 950 Å при збільшенні в 10 6 разів в електронному проекторі (а). На зображенні можна бачити лише структуру кристалічної плоскості.

Мал. 2б. Зображення поверхні вольфрамового вістря радіусом 950 Å при збільшенні в 10 6 разів в гелієвому іонному проекторі (б) при температурі 22 До. За допомогою іонного проектора за рахунок дозволу окремих атомів (світлі крапки на кільцях) можна розрізнити бісерно-цепочечную структуру рівнів крісталічеськой грат.