s-пріладі, напівпровідникові прилади, дія яких заснована на s-образній вольтамперной характеристиці, на якій є один ( АВ ) або декілька ділянок з негативним опором (см. мал.(малюнок) ). В напівпровідникових приладів існує 2 типи нелінійних вольтамперних характеристик. Один з них характеризується N -образною формою (див. Тунельний діод, Ганна діод ), інший — s-образній. S-п. реалізуються різними способами. Першим S-п. був крістадін. До S-п. відносяться чотиришарові структури, в яких чергуються шари напівпровідника з провідністю n , - і р -тіпов (тетрістор). Чотиришарова структура містить три р — n -переходу (див. Електронно-дірковий перехід ). Робочий діапазон струмів і напруги тетрісторов вагається від одиниць до десятків і сотень а і від десятків до декількох сотень в і вище. Ін.(Древн) поширеним S-п. є двобазовий діод (одноперехідний транзистор), в якого є 3 електроди і 2 ланцюги, — емітерна і міжбазова. За наявності струму в міжбазовому ланцюзі в емітерному ланцюгу виникає s-характерістіка. S-характерістіку мають також за певних умов лавинні транзистори, Ганна діоди і лавинно-інжекційні напівпровідникові діоди .
Найбільше практичне вживання отримали чотиришарові структури; вони використовуються в електротехнічній промисловості, в силовій і преобразовательной техніці (де вони витіснили громіздкі і ненадійні тиратрони ) і в електроніці. Широкого поширення набув і двобазовий діод, на основі якого створюються релаксаційні генератори і лінії затримки. У перспективі — використання чотиришарових структур і одноперехідних транзисторів в мікроелектроніці.
Вводячи в напівпровідник домішки, що створюють глибоколежачі енергетичні рівні в забороненій зоні, значно підвищують його опір. При протіканні струму первинний низький опір відновлюється (компенсується), причому часто підвищення провідності напівпровідника супроводиться пониженням падіння напруги на нім в той час, як струм зростає. Це і обумовлює s-образну вольтамперную характеристику. Відомі S-п. на компенсованих Si, Ge, Gaas і ін. матеріалах. В більшості випадків перехід від високого опору до низького супроводиться шнуруванням струму, тобто зменшенням поперечного перетину струмового каналу. Шнурування струму має місце (у зневазі власними магнітними полями струму) лише в S-п. Наприклад, в s-діодах з Si, компенсованого кадмієм, удалося спостерігати стрибкоподібне зменшення діаметру перетину струмового каналу від 400 мкм до 80—100 мкм . Шнурування струму спостерігається в компенсованому Ge, чотиришарових структурах і так далі Із збільшенням струму шнур розширюється так, що щільність струму в нім залишається постійною. При цьому шнур може зайняти всю площу контакту, як би велика вона не була. Шнур може переміщатися як ціле (наприклад, в магнітному полі), не міняючи величини поперечного перетину. Обидві особливості вказують на можливості практичного використання S-п. для створення комутаторів і перемикачів струму високої надійності.
S-п. мають принаймні 2 стійких стани. Це дозволяє створювати на їх основі нейристори, що є електронною моделлю закінчення нервової клітини, — аксона . У S-п., створених на основі компенсованого Caas, спостерігається свічення під час переходу приладу з високоомного стану в низькоомний. Т. е., S-п. може бути керованим джерелом світла.
Знаходять вживання також тетрістори. Можливе управління тетрісторамі за допомогою падаючого на них пучка світла.
Літ.: Лосев О. Ст, детектор-генератор, детектор-підсилювач, «Телефонія і телеграфія без дротів», 1922 № 14; Гаряїнов С. А., Абезгауз І. Д., Напівпровідникові прилади з негативним опором, М., 1970; Напівпровідникові прилади і їх вживання. Сб. ст., під ред. Я. А. Федотова, ст 19, М., 1968; то ж, ст 25, М., 1971; Стафєєв Ст І., Модуляція довжини дифузійного зсуву як новий принцип дії напівпровідникових приладів, «фізика твердого тіла», 1959, т. 1, ст 6; Вовків А. Ф., Коган Ш. М., Фізичні явища в напівпровідниках з негативною диференціальною провідністю, «Успіхи фізичних наук», 1968, т. 96, ст 1.
