Фототермомагнітний ефект, електронний термомагнітний ефект, виникнення в однорідному напівпровіднику, поміщеному в магнітне поле Н, при опроміненні його електромагнітним випромінюванням в перпендикулярному напрямі, едс(електрорушійна сила) в третьому перпендикулярному напрямі. В результаті поглинання випромінювання носіями струму в напівпровідниках змінюється їх середня енергія. Таке «розігрівання» носіїв неоднорідне і породжує потік гарячіших носіїв у напрямі поширення випромінювання. Т. до. у цьому напрямі напівпровідник електрично розімкнений, то в протилежному напрямі з'являється компенсуючий потік холодніших носіїв. Час їх вільного пробігу залежить від енергії, тому перпендикулярне до цих потоків магнітне поле по-різному відхилює гарячі і холодні носії, що приводить до появи едс(електрорушійна сила).
На відміну від Нернсту – Еттінгсхаузена ефекту і фотомагнітоелектричного ефекту, Ф. е. виникає незалежно від наявності градієнта температури кристалічної решітки напівпровідника і градієнта концентрації носіїв. Едс має найбільшу величину в напівпровідниках з малою ефективною масою носіїв струму (наприклад, в Insb при низьких температурах). Використовується для створення високочутливих малоінерційних приймачів СВЧ(надвисокі частоти) - і інфрачервоного випромінювання, вживаних в радіоастрономії, космічних дослідженнях, спектроскопії, радіотеплолокациі.
Літ.: Електронний термомагнітний ефект, «Радіотехніка і електроніка», 1963, т. 8, ст 6, с. 994.
