Топографірованіє кристалів у вузькому паралельному пучку «на просвіт». Метод Ланга (зображення)
Мал. 5, а. Схема топографірованія кристалів у вузькому паралельному пучку «на просвіт» по методу Ланга. Рентгенівські монохроматичні промені від «точкового» джерела виділяються вузькою (0,1 мм ) щілиною так, що на кристал потрапляє лише випромінювання К а 1 . Дифракційне зображення виділяється другою щілиною і фіксується на фотопластині. Монохроматичність випромінювання тим вище, чим більше відстань А і менше ширина щілини S. Для великих кристалів необхідне синхронне зворотно-поступальне переміщення кристала і фотопластини (щілини при цьому нерухомі).
