Напівпровідникові інтегральні схеми. Виготовлення (зображення)

Мал. 2. Послідовність основних технологічних операцій одного із способів виготовлення напівпровідникових ІС: А — підготовка (шліфовка, поліровка) пластини кремнію з провідністю n -тіпа; Б — окислення кремнію в атмосфері сухого кисню; У — фотолітографія (фотогравіювання шару оксиду кремнію, розтин «вікон» в нім); Г — дифузія сурми або миш'яку через «вікна» в оксиді для здобуття високопровідної області «прихованого» шару кремнію n -тіпа (1) під колектором майбутнього транзистора і базою діода; Д — епітаксіальне нарощування кремнію — нанесення шару кремнію n -тіпа (2): Е — ізолююча дифузія для здобуття взаємної електричної ізоляції майбутніх елементів інтегральної схеми (їй передує окислення епітаксіального шару і селективне видалення окисної плівки за допомогою фотолітографії) — дифузія бору, в результаті якої епітаксіальний шар розділяється на окремі острівці кремнію n-тіпа (3), оточені кремнієм р -тіпа; Ж, З — формування елементів інтегральної схеми в ізольованих областях кремнію послідовним проведенням ще двох дифузій домішок через розкривані за допомогою фотолітографії «вікна» в додатково нанесеній окисній плівці кремнію [друга дифузія — дифузія бору — виробляється для створення базових областей (4) транзисторів, p - n -переходов і областей резисторів, при третій дифузії — дифузії фосфору — формуються емітерні області транзисторів (5)]; І — розтин «вікон» в оксиді кремнію під контакти з областями колектора, емітера і бази транзисторів, р - і n - областями діодів і з резисторами; До — створення внутрішньосхемних з'єднань за допомогою вакуумного напилення на поверхню пластини плівки алюмінію, яка потім селективно труїться за допомогою фотолітографії; збережені ділянки алюмінію (6) утворюють електроди елементів, сполучні доріжки і контактні майданчики для під'єднування структури інтегральної схеми до виводів корпусу.