Мал. 1. Поперечний перетин і електрична схема напівпровідникової інтегральної схеми. На мал.(малюнок) крапками, що згущують, показані шари провідників струму з алюмінію; розрідженими крапками показані шари напівпровідника з двоокису кремнію; косими лініями показані шари кремнію з провідністю n, з підвищеною провідністю n+ і р — типів: ділянка напівпровідника (підкладка ) з провідністю р — типа а утворює конденсатор би, транзистор в, резистор г; цифрами відмічені ділянки інтегральної схеми, відповідно позначені на електричній схемі.
