Лавинно-пролётный полупроводниковый диод (ЛПД), полупроводниковый прибор с отрицательным сопротивлением, возникающим из-за сдвига фаз между током и напряжением на выводах прибора вследствие инерционных свойств лавинного умножения носителей заряда и конечного времени их пролёта в области р-n-перехода. Лавинное умножение в р-n-переходе вызвано ударной ионизацией атомов носителями заряда. В отличие от др. приборов этого класса (туннельных диодов, тиристоров, Ганна диодов), отрицательное сопротивление ЛПД проявляется только на СВЧ(сверхвысокие частоты). Идея создания ЛПД впервые высказана американским физиком В. Ридом в 1958. Экспериментально генерация колебаний с помощью ЛПД впервые наблюдалась в СССР в 1959 группой сотрудников под рук. А. С. Тагера.
ЛПД применяются для генерирования колебаний в диапазоне частот от 1 до 300 Ггц. Мощность колебаний составляет единицы вт (при кпд(коэффициент полезного действия) ~ 10%). В 1967 был открыт режим работы ЛПД, при котором электрические колебания возникают сразу на 2 частотах: частоте f0, характерной для обычного режима, и её субгармонике f0/fn, где n > 3. Этот режим отличается высокими значениями кпд(коэффициент полезного действия) (до 60% ) и высокими уровнями отдаваемой на субгармониках мощности (до нескольких сотен вт).
Для получения ЛПД могут быть использованы структуры типа p+-n-i-n+ (диод Рида), p-i-n, р-n, р+-n и р-n+, образуемые диффузией примесей, ионной имплантацией, эпитаксиальным наращиванием, напылением в вакууме с образованием барьера Шотки (см. Полупроводниковая электроника). При изготовлении их применяют полупроводниковые материалы с высокой дрейфовой скоростью носителей заряда и большой шириной запрещенной зоны (GaAs, Si, Ge).
Лит.: Тагер А. С., Вальд-Перлов В. М., Лавннно-пролётные диоды и их применение в технике СВЧ(сверхвысокие частоты), М., 1968.
