Феритовий пристрій, що запам'ятовує
 
а б в г д е ж з и й к л м н о п р с т у ф х ц ч ш щ ъ ы ь э ю я
 

Феритовий пристрій, що запам'ятовує

Феритовий пристрій, що запам'ятовує, пристрій, що запам'ятовує, в якому носіями інформації служать феритові сердечники з прямокутною петлею гістерезису. Ф. з. в. використовуються в більшості сучасних ЕОМ(електронна обчислювальна машина), переважно як оперативна пам'ять з зверненням за довільною адресою. Кількість інформації, що зберігається, досягає у Ф. з. в. десятків млн. біт, час вибірки – від десятих доль до декількох мксек. У Ф. з. в. поєднуються висока швидкодія, малі габарити, висока надійність, технологічність виготовлення, економічність. Вживання феритових сердечників (ФС) як елементи пам'яті, що запам'ятовують, обумовлене їх властивістю зберігати після намагнічення одне з двох можливих стійких магнітних станів, відповідних значенням залишкової магнітної індукції (+ B r ілі – B r ) , що дозволяє їм зберігати інформацію, представлену в двійковому коді. Якщо по дроту, пронизливому кільцевий ФС ( мал. ), пропускати імпульси струму (різній полярності), достатні для створення магнітного поля Н т > H з ( H з коерцитівная сила), то можна управляти магнітним станом ФС. Під дією поля, що перемагнічує + Н т ФС після зняття поля виявляється в змозі + B r , цю операцію прийнято називати «записом 1». Для «запису 0» подають імпульс струму, що створює поле, – Н т , після дії якого ФС виявляється в змозі – B r . Сигнал, що виникає в дроті прочитування ФС при зміні значення його магнітної індукції від + B r до – B r , називається сигналом «прочитування 1»; при «прочитуванні 0» магнітна індукція у ФС міняється трохи і лічений сигнал виявляється значно менше сигналу «прочитування 1». Процес прочитування супроводиться «стиранням» інформації, що зберігалася, т.к. прі цьому ФС завжди переводиться в стан – В т , тобто записується 0.

  Поле Н т може бути створене або одним імпульсом струму, що протікає по одному дроту запису, або декількома імпульсами струму (зазвичай двома), що протікають одночасно по різних дротах, причому кожен з імпульсів створює поле, рівне або менше Н т /2, окремо недостатнє для зміни магнітного стану ФС. Спосіб створення поля необхідної напруженості, що перемагнічує, за допомогою підсумовування в одному ФС часткових магнітних полів від двох і більш за імпульси струму називається принципом збігу струмів. Цей принцип використовується в більшості сучасних Ф. з. в.

  У Ф. з. в. все ФС збираються в феритові матриці, до складу Ф. з. в. входять декілька таких матриць (інколи декілька десятків). Має в своєму розпорядженні ФС в матриці, внутрішні (у матриці) і зовнішні (між матрицями) з'єднання дротів запису і прочитування вибираються так, щоб зменшити кількість електронної апаратури управління і підвищити надійність функціонування Ф. з. в. при заданій швидкодії і ємкості. Найбільш поширено три системи організації Ф. з. у.: 3-мірна (або з плоскою вибіркою, напівструмова, матрична, типа ХУ ) , 2-мірна (з безпосередньою вибіркою, повного струму, лінійна, типа Z), 2,5-мірна (займає проміжне положення між 3- і 2-мірною). Відповідно ці системи позначають символами 3 D , 2 D і 2,5 D ( D – початкова буква англ.(англійський) dimension – вимір, координата). Вживання тієї або іншої системи організації Ф. з. в. залежить від конкретних вимог, що пред'являються до пам'яті ЕОМ(електронна обчислювальна машина): у Ф. з. в. малої ємкості і високої швидкодії зазвичай використовують систему 2 D ; при середній ємкості і високій швидкодії або великій ємкості і середній швидкодії – 2,5 D ; при великій ємкості і малій швидкодії – 3 D. У склад Ф. з. в. входять сотні транзисторів, тисячі напівпровідникових діодів, сотні інтегральних мікросхем, мільйони ФС. Тому при створенні Ф. з. в. великій ємкості необхідно забезпечувати ідентичність характеристик і параметрів елементів, особливо ФС, і економічність даного пристрою, що запам'ятовує. Найбільш економічні пристрої, що запам'ятовують, з системою організації 3 D ; найменш економічна – 2 D . Ф. з. в. з системою організації 2,5 D дозволяє при порівняно невеликих витратах отримувати високу швидкодію при великих ємкостях, що зумовлює перспективність її використання в сучасних ЕОМ(електронна обчислювальна машина).

  Літ.: Крайзмер Л. П., Швидкодіючі феромагнітні пристрої, що запам'ятовують, М. – Л., 1964; Бардіж Ст Ст, Магнітні елементи цифрових обчислювальних машин, 2 видавництва, М., 1974; Китовіч Ст Ст, Магнітні і магнітооптичні оперативні пристрої, що запам'ятовують, 2 видавництва, М., 1975; Шигин А. Р., Дерюгин А. А., Цифрові обчислювальні машини. Пам'ять ЦВМ(цифрова обчислювальна машина), М., 1975.

  А. Ст Гусев.

елемент на феритовому сердечнику (а), що Запам'ятовує, і петля магнітного гістерезису (б); ФС — феритовий сердечник; I — струм запису (прочитування); У — магнітна індукція; В r — залишкова магнітнпая індукція; Н — напруженість магнітного поля; Н m — напруженість поля, що перемагнічує; Н з — коерцитівная сила.