Температурна залежність концентрації носіїв струму в напівпровідниках (зображення)

Мал. 5. Температурна залежність концентрації n носіїв струму в помірно легованому (1) і сильно легованому (2) напівпровідниках: I — область часткової іонізації домішок; II — область їх повної іонізації; III — область власної провідності.