Мал. 1. а — еквівалентна схема низькотемпературного параметричного підсилювача; б — вольтамперная характеристика переходу металл—полуметалл (U — напруга, I — струм) і залежність його ємності З від напруги при Т < 80 До; пунктиром показана ця ж характеристика при кімнатній температурі (300 До): U н і w н — напруга і частота накачування; у — перехід металл—полуметалл є активним елементом підсилювача.
