Параметрический полупроводниковый диод, полупроводниковый диод, относящийся к группе варакторных диодов, принцип действия которых основан на эффекте зависимости ёмкости р-n-перехода от приложенного к нему напряжения. В параметрических усилителях П. п. д. используют в качестве элемента с переменной ёмкостью, включаемого в колебательный контур усилителя (использование p-n-перехода с этой целью впервые предложено Б. М. Вулом в 1954); на П. п. д. подаётся постоянное обратное смещение (обычно — 0,3—2,0 в) и два переменных СВЧ(сверхвысокие частоты) (до нескольких сотен Ггц) сигнала — от генератора накачки и усиливаемый. П. п. д. отличаются низким уровнем собственных шумов, который зависит в основном от сопротивления полупроводникового материала и его температуры. Для повышения верхней границы полосы частот усиливаемых колебаний стремятся уменьшить ёмкость П. п. д. в рабочей точке C0 и постоянную времени диода ts = rs • C0, где rs — суммарное сопротивление объёма П. п. д., примыкающего к р-n-переходу, и контактов. Мощность колебаний накачки ограничивается допустимым значением обратного напряжения Uдоп на диоде. П. п. д. изготавливают чаще всего из кремния, германия, арсенида галлия. Значения основных параметров П. п. д., выпускаемых в СССР и за рубежом: C0=0,01— 2 пф,ts = 0,1—2 nceк, Uдоп = 6—10 в и диапазон рабочих температур 4—350 К.
Лит.: Физические основы работы полупроводниковых СВЧ(сверхвысокие частоты) диодов, М., 1965; СВЧ(сверхвысокие частоты)— полупроводниковые приборы и их применение, пер.(перевод) с англ.(английский), М., 1972.
