Напівпровідниковий діод з р-n — переходом (зображення)

Мал. 3. Малосигнальна (для низьких рівнів сигналу) еквівалентна схема напівпровідникового діода з р — n-переходом: r _{p -n} — нелінійний опір р — n-переходу; r _би — опір об'єму напівпровідника (бази діода); r _{в т} — опір поверхневих витоків; С _Би — бар'єрна ємкість р — n-переходу; С _діф — дифузійна ємкість, обумовлена накопиченням рухливих зарядів в базі при прямій напрузі; С _до — ємкість корпусу; L _до — індуктивність токоподводов; А і Б — виводи. Суцільною лінією показано підключення елементів, що відносяться до власне р, — n-переходу.