Мал. 4. Зображення поверхні кремнієвого напівпровідникового діода, отримані в стробоскопічному емісійному електронному мікроскопі: а — напруга на діоді відсутня; б — на діод подана замикаюча напруга 40 в , темна область, що з'явилася, — падіння напруги на р — n-переході; у — короткочасне (менше 40 нсек ) пряме падіння напруги (широка темна область) на базі діода при перемиканні його в стан, при якому він «відімкнений».
