Вул Бенцион Моісейович [р. 9 (22) .5.1903, Біла Церква], радянський фізик, член-кореспондент АН(Академія наук) СРСР (1939), Герою Соціалістичного Труда (1969). Член КПРС з 1922. Закінчив Київський політехнічний інститут в 1928. З 1932 працює у Фізичному інституті АН(Академія наук) СРСР, з 1933 керує організованою ним лабораторією фізики діелектриків (нині лабораторія фізики напівпровідників). З 1951 член Головної редакції БСЕ. Основні праці по фізиці діелектриків і напівпровідників. Ст встановило природу краєвого ефекту при пробої твердих діелектриків і особливості пробою стислих газів в різко неоднорідних полях; розвинув основи теорії фільтрації аерозолів (1937). Відкрив (1944) новий сегнетоелектрік — титанат барії Batio 3 (Державна премія СРСР, 1946), що поклало початок багатьом науковим роботам і практичним вживанням в області сегнетоелектрики. Ряд робіт присвячений дослідженням р-n- переходів в напівпровідниках і основам теорії напівпровідникових приладів. Під керівництвом Ст створені перші в СРСР лабораторні зразки напівпровідникових приладів. Вперше запропонував використовувати р - n -переходи як нелінійні конденсатори, що знаходить широке вживання в параметричних підсилювачах. У 1962 спільно з іншими здійснив перший в СРСР напівпровідниковий квантовий генератор (Ленінська премія, 1964). Нагороджений 4 орденами Леніна, 2 іншими орденами, а також медалями.
Соч.: Послідовний пробій твердих діелектриків, «Журнал технічної фізики», 1932, т. 2, ст 3—4; Речовини з високою і надвисокою діелектричною проникністю, «Електрика», 1946 № 3 (совм. з І. М. Гольдманом); Про діелектричні властивості перехідних шарів в напівпровідниках, «Журнал технічної фізики», 1955, ст 1; Електрична міцність напівпровідників, «Фізика і техніка напівпровідників» 1967, т. 1, ст 11, с. 1638
Літ.: Бенцион Моісейович Вул, «Успіхи фізичних наук», 1963, т. 80, ст 4.
